[实用新型]缓冲腔室有效
| 申请号： | 201921044421.9 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN209896033U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 段辰玥 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种缓冲腔室，包括腔体、加热装置和导流装置，其中，在腔体上设置有排气口，导流装置设置在腔体上，并在导流装置中设置有与腔体内部连通的导流通道，且导流通道与腔体内部连通，用于向腔体内部导流气体；加热装置与导流通道对应设置，用于对将要进入腔体内的气体进行加热。本实用新型提供的缓冲腔室能够提高腔体内流场环境的稳定性，提高缓冲腔室排放效率以及排放效果，并能够提高缓冲腔室的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲腔室 导流通道 导流装置 腔体内部 腔体 本实用新型 加热装置 连通 体内 使用寿命 进入腔 排气口 排放 导流 流场 加热 | ||
【主权项】：
1.一种缓冲腔室，包括腔体，并在所述腔体上设置有排气口，其特征在于，还包括加热装置和导流装置，其中，所述导流装置设置在所述腔体上，并在所述导流装置中设置有贯穿其自身的导流通道，且所述导流通道与所述腔体内部连通，用于向所述腔体内部导流气体；/n所述加热装置与所述导流通道对应设置，用于对将要进入所述腔体内的所述气体进行加热。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921044421.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路装置
- 下一篇：一种设置有内框斜面避空结构的石墨舟片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
