[实用新型]一种DC-4GHz低功耗GainBlock放大器有效
| 申请号： | 201921051190.4 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN209844917U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 汪程飞;刘家兵 | 申请（专利权）人： | 合肥芯谷微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03G3/30 |
| 代理公司： | 53113 昆明合众智信知识产权事务所 | 代理人： | 周勇 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新大*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及增益放大器技术领域，尤其为一种DC‑4GHz低功耗GainBlock放大器，由两个支路两级放大结构合并而成，其中，每个两级放大结构基本电路为两级达林顿结构的晶体管，采用复合过接方式将两只晶体管集电极连在一起，将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极，最后分别引出基级、发射极、集电极，且该器件采用单电源供电。本实用新型，结构简单，尺寸很小，成本较低。在低频段有着优异的性能，可以在得到大量应用。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 本实用新型 两级放大 发射极 放大器 晶体管集电极 达林顿结构 单电源供电 增益放大器 支路 基本电路 直接耦合 低功耗 低频段 第一级 集电极 基级 两级 复合 合并 应用 | ||
【主权项】：
1.一种DC-4GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：由两个支路两级放大结构合并而成，其中，每个两级放大结构基本电路为两级达林顿结构的晶体管，采用复合过接方式将两只晶体管集电极连在一起，将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极，最后分别引出基级、发射极、集电极，且该器件采用单电源供电。/n
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