[实用新型]多光谱图像传感器和多光谱传感器有效
| 申请号： | 201921055368.2 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN210296379U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | A·克罗彻瑞;D·里多 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J1/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各实施例涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二像素。第一像素具有第一厚度，第一厚度限定在第一波长处谐振的竖直腔，并且第二像素具有不同于第一厚度的第二厚度。第二厚度限定在不同于第一波长的第二波长处谐振的竖直腔。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 图像传感器 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
