[实用新型]一种波导型光电探测器有效
申请号: | 201921056964.2 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN210136887U | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 涂芝娟;汪巍;余明斌 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/11;H01L31/0352;H01L31/153 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供一种波导型光电探测器法。该波导型光电探测器包括:形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区;形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层;形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层,第二掺杂硅层为N型掺杂;形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层;形成于本征材料层表面的第三掺杂层;形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区;以及光波导,其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联,实现对不同波段的光的探测,由此,该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节;此外,能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系,同时也便于与其它器件集成。 | ||
搜索关键词: | 一种 波导 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的