[实用新型]QFN封装器件结构有效
| 申请号： | 201921096005.3 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN210325752U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 彭兴义 | 申请（专利权）人： | 盐城芯丰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 224100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种QFN封装器件结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片通过银浆安装在散热焊盘上，此散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，此导电焊盘和芯片通过一引线连接，所述导电焊盘底面具有一导电凸点，此导电凸点的高度与导电焊盘宽度的比值为1:5~1:2，所述导电凸点位于导电焊盘内侧，所述导电凸点内侧曲面与导电焊盘底面的夹角小于其外侧曲面与导电焊盘底面的夹角，所述散热焊盘上具有多个凸块，所述芯片底面与凸块接触，部分所述银浆填充在凸块之间。本实用新型解决了导电焊盘虚接率较高，产品成型质量差、不良率高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | qfn 封装 器件 结构 | ||
【主权项】：
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