[实用新型]一种TFT减薄蚀刻前上料防呆装置有效
| 申请号： | 201921101747.0 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN210443536U | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈江平 | 申请（专利权）人： | 黄石惠晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 435000 湖北省黄石市经*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种TFT减薄蚀刻前上料防呆装置。所述TFT减薄蚀刻前上料防呆装置包括定位支架；推车，所述推车滑动连接所述定位支架的内部；固定机构，所述固定机构安装于所述推车的内部，所述固定机构包括支撑板、储存箱、固定条和凸块，所述推车的顶面等距安装多个所述支撑板，所述支撑板的内部卡合所述储存箱；所述储存箱的内部底面等距安装截面积为半圆形的所述固定条，且所述固定条的顶面等距安装多个侧壁为弧形所述凸块，且位于同一根所述固定条上的所述凸块的直径沿着所述固定条的一端向着所述固定条的另一端依次递增。本实用新型提供的TFT减薄蚀刻前上料防呆装置方便取出薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 蚀刻 前上料防呆 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
