[实用新型]具有高介电常数限制孔的VCSEL器件有效
| 申请号： | 201921112061.1 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN210628719U | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张勇辉;杭升;张紫辉 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本实用新型为一种具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR和N‑型半导体传输层；其中，N‑型半导体传输层分为两部分，下层完全覆盖氮化物外延DBR；所述的N‑型半导体传输层的上层依次为多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层；P‑型重掺杂半导体传输层；P‑型重掺杂半导体传输层上表面的外侧为环形的高介电常数绝缘层，其材质为非掺杂的HfO |
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| 搜索关键词： | 具有 介电常数 限制 vcsel 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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