[实用新型]一种N-PERT电池细栅线结构有效
| 申请号： | 201921131175.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN212848420U | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张博;妮玉凤;张富永 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 710099 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种N‑PERT电池细栅线结构，包括在N型基体(130)正面第一层设置若干虚线式栅线(110)，所述虚线式栅线(110)的栅线尺寸相同，所述虚线式栅线(110)使用银铝浆进行印刷；第二层栅线(120)覆盖于所述虚线式栅线(110)上方，所述第二层栅线(120)长度与所述N型基体(130)尺寸相适应，所述第二层栅线(120)使用非烧穿银浆进行印刷。该结构不仅保证了电池片具有较小的金属复合，同时具有较低的线电阻，为提升太阳能电池效率提供了帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pert 电池 细栅线 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
