[实用新型]源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201921141428.2 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN210607267U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强;阙显沣;王文樑;姚书南 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;隆翔鹰 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件，所述器件包括从下到上依次分布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上表面的两端连接源极和漏极，源极和漏极之间的势垒层上表面上分布一层绝缘层，绝缘层的上表面连接栅极，源极和漏极与沟道层分别形成欧姆接触，源极和漏极的高度相等，且高于栅极的高度。源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件克服现有制备工艺需要分两步制备源漏极和栅极的缺点，不存在传统光刻技术的光衍射效应，可快速地制造出尺寸精度高的微纳图案。而且源极、漏极和栅极同步制备无需对准和二次光刻步骤，可实现非常精确的尺寸控制，器件的线宽可低至50 nm，操作步骤简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 栅极 同步 制备 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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