[实用新型]沟槽二极管和功率半导体器件有效
| 申请号： | 201921146192.1 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN210296387U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朴锺镐;胡尚寿;李相龙;金世云 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/167;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张铮铮;马芬 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了沟槽二极管和功率半导体器件，该沟槽二极管包括：第一沟槽，该第一沟槽设置在衬底材料中；绝缘层，该绝缘层设置在第一沟槽的表面上方；第一导电类型的第一半导体材料，该第一半导体材料设置在第一沟槽内；和第二导电类型的第二半导体材料，该第二半导体材料设置在第一沟槽内并且设置在第一沟槽中的第一半导体材料的上方。第一半导体材料的掺杂浓度至少是1×10 |
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| 搜索关键词： | 沟槽 二极管 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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