[实用新型]一种具有瞬态电压抑制的高耐压超快恢复的半导体元器件有效
| 申请号： | 201921177366.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN210325794U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;杨华;朱京江 | 申请（专利权）人： | 安徽安美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 陈国俊 |
| 地址： | 247100 安徽省池州市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有瞬态电压抑制的高耐压超快恢复的半导体元器件，属于半导体分立器件技术领域。包括SKY芯片、STD芯片、TVS芯片、导电片、引线端子和塑封体，所述SKY芯片与STD芯片通过焊料焊接组合串联在上、下两导电片之间，两导电片之间再并联有TVS芯片，导电片及芯片封装在塑封体内，所述上、下导电片分别通过引线端子引出；本实用新型半导体元器件产品具有高耐压、超快恢复特点，制作成本低，通过TVS芯片维持元器件电压的稳定，防止内部SKY芯片和STD芯片在反向过电压的情况下被击穿，提高了产品的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 瞬态 电压 抑制 耐压 恢复 半导体 元器件 | ||
【主权项】：
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