[实用新型]一种MOS管整形结构有效
| 申请号： | 201921200856.8 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN210272270U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 薛会民 | 申请（专利权）人： | 深圳市三合微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人： | 钟斌 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS管整形结构，属于MOS管整形技术领域，包括装置主体，所述装置主体的内部开设有第一滑槽，所述第一滑槽的外表面通过第一滑块连接有升降柱，所述升降柱的外表面固定有滑轨，所述滑轨的一侧固定有多个截齿，所述装置主体的一侧贯穿有转杆，且转杆通过轴承与装置主体转动连接,所述转杆的一端固定有转柄，所述转杆远离转柄的一端贯穿于装置主体的内部并连接有齿轮，该种MOS管整形结构设置有支撑板，当需要对MOS管整形成品字形时，工作人员可以将支撑板放置于MOS管的一侧，且由于三个支撑板呈品字形分布，从而使得在对MOS管整形过程中，工作人员可以通过支撑板进行对照，使得MOS管整形更加规范，避免了MOS管整形出现偏差的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 整形 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
