[实用新型]一种CWS槽自清洗装置有效
| 申请号： | 201921210813.8 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210040147U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 潘东林;高英哲;张文福 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31313 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种CWS槽自清洗装置，包括：晶圆暂存区域槽；第一喷嘴，所述第一喷嘴设置在所述晶圆暂存区域槽的一边上方；第二喷嘴，所述第二喷嘴设置在所述晶圆暂存区域槽的另一边上方；液体供给管；液体供给阀，所述液体供给管受所述液体供给阀控制后，连接至所述第一喷嘴和所述第二喷嘴；气体供给管；以及气体供给阀，所述气体供给管受所述气体供给阀控制后，连接至所述第一喷嘴和所述第二喷嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 喷嘴 暂存区域 晶圆 气体供给阀 气体供给管 液体供给阀 液体供给管 本实用新型 自清洗装置 | ||
【主权项】：
1.一种CWS槽自清洗装置，包括：/n晶圆暂存区域槽；/n第一喷嘴，所述第一喷嘴设置在所述晶圆暂存区域槽的一边上方；/n第二喷嘴，所述第二喷嘴设置在所述晶圆暂存区域槽的另一边上方；/n液体供给管；/n液体供给阀，所述液体供给管受所述液体供给阀控制后，连接至所述第一喷嘴和所述第二喷嘴；/n气体供给管；以及/n气体供给阀，所述气体供给管受所述气体供给阀控制后，连接至所述第一喷嘴和所述第二喷嘴。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921210813.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体晶圆检测封装结构
- 下一篇：全自动晶圆片清洗贴片一体机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
