[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201921241096.5 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210296370U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;黎沛涛 | 申请（专利权）人： | 创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 中国香港新界大埔白石角*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
