[实用新型]一种具有高开关速度的平面栅器件结构有效
| 申请号： | 201921253115.6 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN210073861U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 饶祖刚;王民安;项建辉;郑科峰 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 34128 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹宏筠 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法，该平面栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层上间隔设置有一组平面栅，所述平面栅包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层，从第一栅电极绝缘层向两侧延伸的第二栅电极绝缘层及设置在第一栅电极绝缘层和第二栅电极绝缘层上的栅电极，所述第一栅电极绝缘层的厚度大于第二栅电极绝缘层的厚度。该结构的平面栅加工方法简单且易于实现，具有该平面栅结构的器件具有更低的栅漏电容，更快的开关速度和更低的开关功耗，可广泛应用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半导体器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极绝缘层 平面栅 器件结构 外延层 衬底 半导体 半导体器件领域 本实用新型 平面栅结构 间隔设置 开关功耗 两侧延伸 栅漏电容 等功率 栅电极 加工 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有高开关速度的平面栅器件结构，包括半导体衬底或外延层(100)，其特征在于：所述半导体衬底或外延层(100)上间隔设置有一组平面栅(10)，所述平面栅(10)包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层(102)，从第一栅电极绝缘层(102)向两侧延伸的第二栅电极绝缘层(103)及设置在第一栅电极绝缘层(102)和第二栅电极绝缘层(103)上的栅电极(104)，所述第一栅电极绝缘层(102)的厚度大于第二栅电极绝缘层(103)的厚度；/n所述第二栅电极绝缘层(103)的底部连接设置有相互独立的第一掺杂区域(105)和第二掺杂区域(106)，第二掺杂区域(106)位于第一掺杂区域(105)的上方；第一掺杂区域(105)内掺杂形成与半导体衬底或外延层(100)具有相反导电类型的第二类掺杂半导体，第二掺杂区域(106)内掺杂形成与半导体衬底或外延层(100)具有相同导电类型的第一类掺杂半导体，所述第二掺杂区域(106)的下方向下和向远离平面栅(10)的方向延伸设置有第三掺杂区域(107)，第三掺杂区域(107)内掺杂形成与半导体衬底或外延层(100)具有相反导电类型且比第一掺杂区域(105)内杂质浓度高、比第二掺杂区域(106)内杂质浓度低的第二类掺杂半导体；/n相邻两平面栅(10)间的第一掺杂区域(105)相互连通，相邻两平面栅(10)间的第三掺杂区域(107)相互连通。/n
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