[实用新型]紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统有效
| 申请号： | 201921274010.9 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN210775733U | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘渊;宋代鳌;吕文波 | 申请（专利权）人： | 苏州伊欧陆系统集成有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 滕诣迪 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶圆在片测试技术领域，尤其是一种紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统，包括晶圆测试探针台、测试测量仪表、光源发生以及调节系统、系统自动控制及数据处理软件，晶圆测试探针台用于对待测件进行固定及测试操作，测试测量仪表与待测件连接，用于对待测件进行数据检测和收集，光源发生以及调节系统用于发出测试光源至晶圆待测件，用于对待测件进行测试光源的输出控制，系统自动控制及数据处理软件分别与晶圆测试探针台和光源发生以及调节系统通信连接，本实用新型极大地提高了紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试效率、封装良率，提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 可见光 光敏 复合 介质 mosfet 探测器 测试 系统 | ||
【主权项】：
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