[实用新型]双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面

摘要

本实用新型是双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其超表面结构是由同一平面的旋转对称的两个c型开口谐振环组成，在介质层Mylar薄膜上设置c型开口谐振环的金属层，金属材料采用Al；金属层的排列形状为：两个c型开口谐振环关于z轴旋转对称；以超表面的几何中心为原点，旋转对称的两个c型开口谐振环均相距0μm～30μm，开口角度范围为10°～140°并且c型开口谐振环的外环半径和内环半径范围分别为25μm～60μm和20μm～55μm；采用“介质‑金属”结构，能够有效增强正面入射强度，在低频与高频处可以产生环偶极子，利用环偶极子在太赫兹频段的电磁性能，制备太赫兹传感器、探测器、调制器、吸波器等太赫兹器件。

主权项

1.一种双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其特征是：双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其超表面是由同一平面的旋转对称的两个c型开口谐振环获得，在介质层上设置c型开口谐振环的金属层；金属层的排列形状为：两个c型开口谐振环关于z轴旋转对称；以超表面的几何中心为原点，旋转对称的两个c型开口谐振环均相距0μm～30μm，开口角度范围为10°～140°并且c型开口谐振环的外环半径和内环半径范围分别为25μm～60μm和20μm～55μm；金属层厚度为0.2μm～0.6μm；所有c型开口谐振环尺寸相同，距离相等；c型开口谐振环的金属层与介质层距离为15μm～30μm。/n