[实用新型]一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器有效
| 申请号： | 201921288133.8 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN210639270U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;曹志强;冷群文 | 申请（专利权）人： | 歌尔科技有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 266104 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括第一引线部，所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起，其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面；所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。本实用新型的电连接结构，可以提高第一引线部与磁阻侧壁接触的面积，由此可保证第一引线部与磁阻导通的稳定性；同时可以降低制造时易产生的空隙、缺陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 连接 结构 | ||
【主权项】：
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