[实用新型]一种高精度快速瞬态响应全片上无电容型LDO有效
申请号: | 201921296018.5 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN210155569U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 白涛 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高精度快速瞬态响应全片上无电容型LDO,运算放大器负相输入端接参考电压VREF,正相输入端分别连接功率管漏端的输出电压OUT和第一MOS管的漏端,运算放大器输出端接第一MOS管的栅端;通过运算放大器两个正相输入端对应所在的两个闭合环路实现嵌位,使第二闭合环路中的功率管漏端的输出电压OUT、第一闭合环路中的第一MOS管的漏端电压和参考电压VREF相等。本实用新型通过双环路嵌位提高输出电压精度,扩展了带宽,保证了快速的负载瞬态响应,即使LDO负载电容和电流在较大范围变化时,也能保证系统的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 高精度 快速 瞬态 响应 全片 电容 ldo | ||
【主权项】:
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