[实用新型]一种有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极有效
| 申请号： | 201921313286.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN213242557U | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王洪;周泉斌;高升;李先辉 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极，所述源漏电极为Ti/Al/Ni/Au/X五层金属叠层结构，Ti/Al/Ni/Au/X五层金属叠层结构为在GaN基HEMT器件的外延层上从下到上依次排布的Ti、Al、Ni、Au和X金属层，其中X为TiN、Ti、W或TiW中的一种以上。无需额外的光刻步骤，利用磁控溅射中沉积的金属X在剥离后会向两边扩散0.5μm～1μm，从而能够实现将下方的Ti/Al/Ni/Au完全包裹住，改善了退火后金属的形貌，提高了器件击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护层 gan hemt 器件 漏电 | ||
【主权项】：
暂无信息
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