[实用新型]一种热处理腔室有效
申请号: | 201921343299.5 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN210575852U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 艾宴清 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 518172 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种热处理腔室,包括上腔室和下腔室,以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板;加热部件,设置于上腔室中,用于加热待加工基片;基片支撑部件,设置于下腔室中,用于支撑待加工基片;基片传输口,位于下腔室的侧壁上,用于将基片传入或传出下腔室;反射板,通过升降机构可移动地贴合于下腔室的内壁,随着反射板的上下移动基片传输口被反射板遮挡或完全暴露于下腔室中。本实用新型的有益效果在于:通过在下腔室中设置反射板,使反射板遮挡基片传输口,使下腔室的内部相对于基片是周向对称的结构,为基片的加工提供了一个对称的工艺环境,提升了基片的去气效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 热处理 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造