[实用新型]具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构有效
| 申请号： | 201921344802.9 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN211404508U | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOS结构，具体是一种具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构，属于半导体器件的制造技术领域。在所述N型外延层中形成沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面延伸；所述沟槽的下部内壁为阶梯形，形成阶梯形的屏蔽栅区，所述阶梯形的屏蔽栅区包括屏蔽栅和位于所述屏蔽栅两侧的第一氧化层；所述沟槽的上部形成栅极区，所述栅极区和屏蔽栅区之间通过氧化层隔开，所述栅极区包括栅极导电多晶硅和位于所述栅极导电多晶硅两侧的第二氧化层；所述具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构的屏蔽栅周围采用阶梯形氧化层，所述阶梯形氧化层的周围采用阶梯形沟槽，能够优化电场分布并提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 屏蔽 mos 结构 | ||
【主权项】：
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