[实用新型]一种声子激元增强的外尔半金属红外探测器有效
| 申请号： | 201921365445.4 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN209981230U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/108 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种声子激元增强的外尔半金属红外探测器，该探测器包括基底、外尔半金属层、电极、三氧化钼微结构层、电压源、电流表，外尔半金属层和电极置于基底上，外尔半金属层置于两电极间，并与两电极欧姆接触，电压源、电流表、电极、外尔半金属层通过导线连接成回路，在所述外尔半金属层上还设置有三氧化钼微结构层。三氧化钼晶体在红外光激发下，产生声子激元，该声子激元比贵金属表面等离激元具有更低的损耗，对光具有更强的吸收，所以本实用新型具有红外探测效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半金属层 电极 三氧化钼 声子 本实用新型 微结构层 电流表 电压源 基底 贵金属表面 红外光激发 红外探测器 导线连接 等离激元 红外探测 欧姆接触 半金属 探测器 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种声子激元增强的外尔半金属红外探测器，包括基底、外尔半金属层、电极、三氧化钼微结构层、电压源、电流表，外尔半金属层和电极置于基底上，外尔半金属层置于两电极间，并与两电极欧姆接触，电压源、电流表、电极、外尔半金属层通过导线连接成回路，其特征在于：在所述外尔半金属层上还设置有三氧化钼微结构层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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