[实用新型]利用CVD方法生长二维薄膜的载具有效
申请号: | 201921373341.8 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN210506518U | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 刘忠范;彭海琳;蔡阿利;孙禄钊;李杨立志;陈步航;王悦晨;刘海洋 | 申请(专利权)人: | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;孙宝海 |
地址: | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种利用CVD方法生长二维薄膜的载具,应用于一CVD设备,载具包括底座、底板以及多个生长板。底座具有第一限位结构;底板设于底座上,底板的下表面具有与第一限位结构配合的第二限位结构,底板的上表面具有第三限位结构;底座设置拱形支脚,便于传送;多个生长板用于承载多片生长衬底,多个生长板堆叠设置,并设于底板的上表面;多个生长板中位于最下方的生长板的下表面具有与第三限位结构配合的第四限位结构;相邻两个生长板的两个相对的表面上分别设有相互配合的第五限位结构和第六限位结构。本实用新型的载具借助第一至第六限位结构相互配合,使得连接牢固,不易发生错位或倾斜,且具有部件少,易于拆卸装配的优点。 | ||
搜索关键词: | 利用 cvd 方法 生长 二维 薄膜 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的