[实用新型]一种片上波导损耗测量装置有效
| 申请号： | 201921373455.2 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN210375633U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种硅基片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里‑珀罗谐振腔，所述法布里‑珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里‑珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 损耗 测量 装置 | ||
【主权项】：
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