[实用新型]气相沉积装置

摘要

本实用新型实施例提供了一种气相沉积装置，涉及半导体生产技术领域，所述气相沉积装置包括：反应腔体；设置于所述反应腔体中的射频装置和气体分配盘；与所述气体分配盘相对设置的加热器，用于在其上放置并加热利用所述等离子体沉积薄膜的晶圆；设置于所述加热器下方且与所述加热器固定连接的水平调整盘；设置于所述水平调整盘下方的自动高度调节机构，用于根据所述晶圆沉积的薄膜的厚度调节所述气体分配盘与所述加热器之间的距离。本实用新型实施例的技术方案中，通过根据薄膜的厚度自动调节气体分配盘与加热器之间的距离，使得晶圆的膜厚均匀性保持在稳定的区间。