[实用新型]一种多路共漏MOS管通用测试电路板及通用测试系统有效

专利信息
申请号: 201921407535.5 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN210245458U 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 诸舜杰;唐正兵;董建新 申请(专利权)人: 上海韦尔半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开一种多路共漏MOS管通用测试电路板及通用测试系统,涉及电子技术领域,以降低双路共漏MOSFET测试成本和样品损坏几率。该多路共漏MOS管具有m个控制端引脚和m个数据端引脚。该电路板包括电路板本体、在可靠性测试时将m个控制端引脚电连接的第一开关组件以及在可靠性测试时将m‑1个数据端引脚电连接的k个第二开关组件;电路板本体包括用于引出MOS管可靠性测试信号的第一组测试接口以及用于引出多路共漏MOS管性能测试信号的第二组测试接口。第一组测试接口和第二组测试接口均与m个控制端引脚和m个数据端引脚连接。该通用测试系统含有上述多路共漏MOS管通用测试电路板。本实用新型提供的多路共漏MOS管通用测试电路板用于多路共漏MOS管测试中。
搜索关键词: 一种 多路共漏 mos 通用 测试 电路板 系统
【主权项】:
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