[实用新型]一种多路共漏MOS管通用测试电路板及通用测试系统有效
申请号: | 201921407535.5 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN210245458U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 诸舜杰;唐正兵;董建新 | 申请(专利权)人: | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开一种多路共漏MOS管通用测试电路板及通用测试系统,涉及电子技术领域,以降低双路共漏MOSFET测试成本和样品损坏几率。该多路共漏MOS管具有m个控制端引脚和m个数据端引脚。该电路板包括电路板本体、在可靠性测试时将m个控制端引脚电连接的第一开关组件以及在可靠性测试时将m‑1个数据端引脚电连接的k个第二开关组件;电路板本体包括用于引出MOS管可靠性测试信号的第一组测试接口以及用于引出多路共漏MOS管性能测试信号的第二组测试接口。第一组测试接口和第二组测试接口均与m个控制端引脚和m个数据端引脚连接。该通用测试系统含有上述多路共漏MOS管通用测试电路板。本实用新型提供的多路共漏MOS管通用测试电路板用于多路共漏MOS管测试中。 | ||
搜索关键词: | 一种 多路共漏 mos 通用 测试 电路板 系统 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造