[实用新型]一种采用TSV技术的无背电极光电探测器阵列结构

摘要

本实用新型涉及一种采用TSV技术的无背电极光电探测器阵列结构，包括半导体硅衬底、P+型隔离槽和N+掺杂区；所述P+型隔离槽设置在半导体硅衬底的正面；所述N+掺杂区设置在半导体硅衬底的正面和背面；所述半导体硅衬底正面的P+型隔离槽和N+掺杂区交错间隔设置；所述半导体硅衬底正面的N+掺杂区上设有电极阴极；所述P+型隔离槽上端设有电极阳极；所述半导体硅衬底正面和背面还设有增透膜；所述电极阴极和电极阳极均设置在同一侧；本实用新型通过将电极设置在同一侧，符合探测器器件轻薄化发展要求，降低生产成本，将半导体硅衬底正面与背面的N+掺杂区采用TSV技术，实现正反面N+掺杂区的连通，有利于载流子收集和减小串扰。