[实用新型]一种PID抗性高的PERC电池组件有效
申请号: | 201921425932.5 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN210403744U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王岚;李忠涌;张忠文;谢毅 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种PID抗性高的PERC电池组件,涉及太阳能电池技术领域,本实用新型包括衬底层,衬底层顶面从下到上依次设置有扩散层、SiOx正钝化层和SixNy正减反钝化保护膜层,衬底层底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层、AlOx背钝化膜层和SixNy背减反钝化保护膜层,其特征在于,SixNy正减反钝化保护膜层的厚度为75‑95nm,其折射率为2.08‑2.13,SixNy背减反钝化保护膜层的厚度为90‑160nm,SixNy背减反钝化保护膜层的膜层数量为至少2层,且距离衬底层最近一层的折射率≥2.1,AlOx背钝化膜层的厚度为2‑28nm,AlOx背钝化膜层的折射率为1.56‑1.76,本实用新型通过优化电池组件排布及各层组件厚度和折射率,优化制备工艺,制得的电池抗PID性能高。 | ||
搜索关键词: | 一种 pid 抗性 perc 电池 组件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的