[实用新型]一种肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 201921440143.9 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN210467848U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 宋安英;张瑜洁;刘刚;单体伟;陈彤 申请(专利权)人: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/04
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 王美花
地址: 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了一种肖特基二极管包括:一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N‑外延层;一肖特基金属层单元,所述肖特基金属层单元覆盖于所述N‑外延层表面,所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层,且相邻两层的肖特基金属层的金属不同;一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属;以及,一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属;可以相对灵活地调整肖特基势垒,得到理想的正向压降和可接受的反向漏电流。
搜索关键词: 一种 肖特基 二极管
【主权项】:
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