[实用新型]一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件

摘要

本实用新型公开了一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，包含：N型衬底硅片；设置在N型衬底内部的P型穿通区；设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区，N型衬底，P型基区，N+发射区，P+基极欧姆接触区；设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区，P型背面短基区，N型衬底硅片，P型正面短基区，N型正面K区，所述P型背面短基区和P型正面短基区同时光刻及扩散形成，N型背面K区和N型正面K区同时光刻及扩散形成。本实用新型既可以实现双向可编程，双向过压防护，又可以实现更高的集成度、具有更简易的工艺、更小的芯片面积。