[实用新型]一种背钝化硅基太阳能电池有效
申请号: | 201921460183.X | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN210607280U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 钱洪强;张树德;鲁科;魏青竹;倪志春 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 李萍 |
地址: | 215542 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本实用新型公开了一种背钝化硅基太阳能电池,能够避免负电荷场效应对钝化的削弱。一种背钝化硅基太阳能电池,包括晶体硅基体、形成于所述晶体硅基体正面的掺杂层、形成于所述掺杂层上的正面钝化膜、透过所述正面钝化膜和所述掺杂层形成欧姆接触的正面电极、形成于所述晶体硅衬底背面的背面钝化膜及穿过所述背面钝化膜和所述晶体硅基体形成欧姆接触的背面电极,所述背面钝化膜包括形成于所述晶体硅衬底背面的第一钝化层及形成于所述第一钝化层上的第二钝化层,所述背面电极形成于所述第二钝化层上,所述第一钝化层为Al |
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搜索关键词: | 一种 钝化 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的