[实用新型]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统有效
| 申请号： | 201921484951.5 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN210953570U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王文杰 | 申请（专利权）人： | 仪晟科学仪器（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;C23C14/04;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/52 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 张抗震 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖区亚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 真空 原位 薄膜 刻蚀 电极 生长 系统 | ||
【主权项】：
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