[实用新型]一种可控硅器件有效
| 申请号： | 201921496834.0 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN210403737U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张潘德;赖首雄;蓝浩涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市德芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/74;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 刘永康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，使得正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区，背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区，从而可以通过调节正面衬底隔离区和背面衬底隔离区的宽度对可控硅器件的击穿电压进行调节，避免了在制备过程中需要针对击穿电压的不同更换不同的硅基材，导致的制造成本增加、工艺复杂等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
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