[实用新型]硅锭及硅片有效
申请号: | 201921503074.1 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN210443572U | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 姚铮;白超;毛亮亮;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/05 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供了一种硅锭及硅片,所述硅锭包括位于所述硅锭的第一侧表面上的若干预制槽,所述预制槽沿所述硅锭的长度方向延伸,且若干预制槽沿垂直于所述预制槽延伸方向的方向上间隔设置。采用本申请的硅锭制备的硅片具有导槽,基于该硅片制备的电池片,其主栅至少一端具有引导槽;通过焊带将若干所述电池片串联成电池串时,至少部分所述焊带位于所述引导槽内,从而能够减小相邻的电池片之间的距离,在同组件版型下,能够布设更多的电池片,提高光伏组件的效率;同时减小了所述焊带的弯曲度,进而减少碎片几率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的