[实用新型]一种倒装结构深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201921509587.3 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210692570U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 薛建凯;崔志勇;郭凯;文晋;张向鹏;王雪;李勇强;张晓娜 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种倒装结构深紫外发光二极管，所述紫外发光二极管包括：衬底层，N型半导体材料层，量子阱层，P型半导体材料层，所述发光二极管还包括增透层，通过在衬底背面镀一层增透膜，极大的改善倒装结构的深紫外LED芯片出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】：
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