[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201921523078.6 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN211125657U | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构，该半导体结构包括：支撑层；分布于所述支撑层上的图形化氮化物外延层，所述图形化氮化物外延层中的图形结构彼此分离设置，并在支撑层水平方向上分布；第一电极，所述第一电极与图形化氮化物外延层相接触；第二电极，所述第二电极与支撑层相接触。本申请的半导体结构通过引入图形化外延层，在外延层厚度增大时可以大大减少应力，避免了外延层翘曲甚至龟裂，显著增加外延层生长的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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