[实用新型]一种高性能DFB激光器外延结构有效
| 申请号： | 201921537461.7 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN210838445U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;姜伟;陈阳华 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高性能DFB激光器外延结构，InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，非掺杂P‑InP过渡层中插入第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构调制速率大，温度特性好，可靠性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 dfb 激光器 外延 结构 | ||
【主权项】：
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