[实用新型]一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构有效
| 申请号： | 201921552313.2 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN210607265U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，包括半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区以及集电极，浮空栅极场板与多晶硅栅极相连，并在器件表面跨过栅极的上方延伸至JFET区上方。本实用新型通过设置半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P型集电极区和集电极的相互配合，达到了击穿特性好的优点，解决了现有的平面栅双极型晶体管结构击穿特性差的问题，方便了人们使用，提高了平面栅双极型晶体管结构的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 击穿 特性 平面 栅双极型 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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