[实用新型]喷雾处理装置有效
| 申请号： | 201921562075.3 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN210897202U | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 秋山政宪;片庭哲也 | 申请（专利权）人： | 铠魅科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;刘茜 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新区上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种喷雾处理装置，为了提高基板的品质，从基板的上表面通过抽吸而去除处理液体从而使处理均匀、高效率地使供给槽内的处理液体的组分均匀化。处理单元（10B）的供给槽（13）与用于从处理单元（10B）的供给槽（13）向处理单元（10A）的供给槽（13）输送处理液体的送液通路（54A）连接。送液通路（54A）中设置有送液泵（53）和喷射器（52）。送液泵（53）从处理单元（10B）侧向处理单元（10A）侧输送处理液体（5）。喷射器（52）具有文丘里管、且与处理单元（10A）的抽吸机构（50）连通。喷射器（52）的抽吸侧顶端为由处理单元（10A）的抽吸机构（50）实现的抽吸作用所需的负压。 | ||
| 搜索关键词： | 喷雾 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠魅科技（上海）有限公司，未经铠魅科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921562075.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
