[实用新型]一种新型薄膜电容结构有效
申请号: | 201921563251.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN211150334U | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 杜祥顺 | 申请(专利权)人: | 上海众联能创新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/236 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 黄冠华 |
地址: | 200336 上海市长*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型薄膜电容结构,属于电容领域,包括壳体,壳体内设置有薄膜介质;壳体上设置有输入正极母排和输入负极母排,输入正极母排的一端、输入负极母排的一端均伸入壳体内与薄膜介质连接;壳体上还设置有输出正极母排和输出负极母排,输出正极母排的一端、输出负极母排的一端均伸入壳体内与薄膜介质连接,输出正极母排的另一端、输出负极母排的另一端均连接有针脚结构;壳体上还设置有交流母排,交流母排的一端连接有针脚结构。本实用新型结构简单、设计合理,能够快速、高效的连接IGBT,进行电容与IGBT的组合。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 薄膜 电容 结构 | ||
【主权项】:
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