[实用新型]等离子体产生组件及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201921627648.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN210984687U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种等离子体产生组件及等离子体处理装置，所述组件用于半导体处理装置中，包括内线圈组和外线圈组；所述外线圈组包括至少两个呈环状绕制且同轴的线圈，各线圈形成独立闭合回路；任意一个外线圈组的线圈的直径，大于任意一个内线圈组的线圈的直径，且所述外线圈组被设置为相对于所述内线圈组可移动。由于将外线圈设置成分别包括若干个呈环状绕制的线圈的形式，各线圈可以分别独立控制，且外线圈组可移动，以改变等离子体产生组件产生的磁场分布，进而控制局部分布浓度较高的等离子体均匀扩散，解决了被处理基片局部蚀刻过度或蚀刻不足的问题，改善蚀刻缺陷，提高了产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 产生 组件 处理 装置 | ||
【主权项】：
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