[实用新型]一种GaN基级联型功率器件有效
| 申请号： | 201921632562.2 | 申请日： | 2019-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN211555872U | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王洪;武智斌;周泉斌;高升 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/00;H01L23/16;H01L23/498;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基级联型功率器件，包括引脚框架，所述引脚框架包括基岛，与基岛相连的栅极电极引脚、源极电极引脚和漏极电极引脚；基岛的上表面连接PCB板，所述PCB板上表面设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的上表面设有凹槽焊盘，凹槽焊盘的上表面连接硅基器件，第二凹槽的上表面连接GaN功率器件；PCB板上表面设有焊盘，硅基器件与焊盘电气连接，焊盘与栅极电极引脚电气连接，GaN功率器件分别与焊盘和漏极电极引脚电气连接；PCB板上表面还设有通孔，硅基器件与GaN功率器件分别和通孔电气连接。GaN基级联型功率器件的制备工艺简单、易于实现、散热性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 级联 功率 器件 | ||
【主权项】：
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