[实用新型]功率型半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 201921638668.3 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN210467812U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 邱宇峰;李现兵;赵志斌;吴军民;张朋;张雷;唐新灵 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/49;H01L23/00;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率型半导体器件封装结构，该封装通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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