[实用新型]一种具有多个结的半导体基核电池有效
| 申请号： | 201921642308.0 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN211455324U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 韩天宇;张玲玲 | 申请（专利权）人： | 无锡华普微电子有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有多个结的半导体基核电池。所述具有多个结的半导体基核电池包括：N型半导体衬底层，在所述N型半导体衬底层的上表面从下至上依次设有第一N型半导体层、半导体本征层、第二N型半导体层和P型半导体层；所述P型半导体层的周围和第二N型半导体层的上表面之间设有钝化保护层，所述P型半导体层上设有阳极金属层，所述阳极金属层、P型半导体层和钝化保护层上设有放射性同位素层；所述阳极金属层和P型半导体层之间欧姆接触；所述N型半导体衬底层的下表面上设有阴极金属层，所述阴极金属层与N型半导体衬底层之间欧姆接触。所述具有多个结的半导体基核电池能够增大了电池的短路电流，提高了核电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多个结 半导体 核电 | ||
【主权项】：
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