[实用新型]半导体材料制备装置有效
| 申请号： | 201921670209.3 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN210575857U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张育民;徐科;王建峰 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体材料制备装置，其包括：预处理单元、生长单元、传送单元；预处理单元包括内部提供预处理空间的第一腔室，第一腔室中设置有预处理机构，预处理机构通过刻蚀、腐蚀、热分解、机械化学抛光中一种方式或几种方式的结合对基底表面进行预处理，生长单元包括内部提供生长空间的第二腔室，传送单元包括：通道、设置于通道中的传送机构，通道连通第一腔室和第二腔室，且第一、二腔室及二者之间的通道与外部隔绝，传送机构一端延伸至第一腔室中，另一端延伸至第二腔室中。本实用新型能够在外延生长之前，对基底表面吸附的Si、O等杂质进行去除，从而避免后续生长时，在生长界面处出现高掺杂层，进而提升器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 制备 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
