[实用新型]一种磁屏蔽结构和三相三柱变压器有效
| 申请号： | 201921687195.6 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN211670102U | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 摆建品;董幸福;高翔;刘莹莹;曹玉山;高娃 | 申请（专利权）人： | 特变电工京津冀智能科技有限公司;特变电工智能电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01F27/36 | 分类号： | H01F27/36;H01F27/34;H01F27/12;H01F30/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;邓伯英 |
| 地址： | 301700 天津市武清区汽车产业*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种磁屏蔽结构，包括端部磁屏蔽(1)和铁轭垫块(2)，所述铁轭垫块(2)位于铁芯边柱(7)外侧，所述铁轭垫块(2)中设有磁屏蔽槽，所述端部磁屏蔽(1)设于所述磁屏蔽槽中。相应的，还提供一种三相三柱变压器。本实用新型磁屏蔽结构能够有效减少由于漏磁通而增加的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 结构 三相 变压器 | ||
【主权项】：
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