[实用新型]基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器有效
| 申请号： | 201921696175.5 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN210608957U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 杨军;石浩;杨景红;杨明 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十四研究所 |
| 主分类号： | H02M9/00 | 分类号： | H02M9/00;H02M9/02;H03K3/36 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高娇阳 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器，包括N个一级驱动电路、N个二级驱动电路、N个脉冲调制组件和1个包含N个初级绕组的高压脉冲变压器。一级驱动电路接收外部提供的定时信号，并将其转换为+5V脉冲电压幅度的触发信号，送给二级驱动电路；二级驱动电路通过光感应调器件和独立供电的+12V和‑5V电源，对一级驱动电路送来的触发信号进行放大，并实现与一级驱动电路的隔离，为脉冲功率组件的调制开关GaNFET提供驱动信号；脉冲功率组件为高压脉冲变压器初级提供激励脉冲；高压脉冲变压器将初级激励脉冲升压，输出负载所需的0‑10kV高压脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ganfet 纳秒级 高压 脉冲 调制器 | ||
【主权项】：
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