[实用新型]一种具有负阻特性的半导体放电管有效
| 申请号： | 201921700554.7 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN212085008U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/87;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种具有负阻特性的半导体放电管。包括：衬底、P2区、N1区、P1区、正面金属电极、背面金属电极；所述P2区制备为利用掺杂工艺在衬底一侧进行制备；所述N1区为利用掺杂工艺在P2区一侧进行制备；所述P1区为利用掺杂工艺在N1区一侧制备；正面金属电极为在P1区一侧进行制备；背面金属电极为在进行减薄处理后的衬底背面进行金属接触处理制备，本实用新型能够实现降低残压提高浪涌能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 特性 半导体 放电 | ||
【主权项】：
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