[实用新型]半导体存储器

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体存储器。所述半导体存储器包括：衬底，所述衬底内具有多条字线以及位于相邻两条字线之间的导电接触区；沟槽，位于所述导电接触区内；接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与所述沟槽连通，所述接触窗口的宽度大于所述沟槽的宽度；接触插塞，接触窗口，位于所述导电接触区内，所述接触窗口位于所述沟槽上方且与所述沟槽连通，所述接触窗口的宽度大于所述沟槽的宽度。本实用新型增大了接触插塞与导电接触区之间的接触面积，从而降低接触插塞与导电接触区之间的接触电阻，改善了半导体存储器的性能，提高了半导体存储器的良率。